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NP80N04MLG, NP80N04NLG, NP80N04PLG
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
TO-220 (MP-25K)
TO-262 (MP-25SK)
10.0 ± 0.2
φ 3.8 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
10.0 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
4
4
1
2
3
1
2
3
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2 2.5 ± 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2 2.5 ± 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
TO-263 (MP-25ZP)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
No plating
10.0 ±0.3
4.45 ±0.2
7.88 MIN.
4
1.3 ±0.2
Gate
Body
Diode
0.025
0.5
0 .6 ± 0
.2
to 0.25
Gate
Protection
Diode
Source
0.75 ±0.2
1 2
2.54
3
0 to 8 ?
0.25
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
8
Data Sheet D19797EJ1V0DS
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